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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市嘉胜威科技有限公司

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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市中杰盛科技有限公司

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  • 深圳市中利达电子科技有限公司

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  • 艾润（香港)电子有限公司

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  • 深圳市骏创达科技有限公司

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  • 厂家TE/泰科 
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  • 一级代理，原装现货
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 厂家Infineon Technologies 
  • 封装TO2203 
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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市东港微科电子有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • 全新原装 货源稳定 长期供应 提供配单
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市南煜科技有限公司

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  • 全新原装现货 可开增票
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装正品全新深圳进口现货，优质渠道供应商！
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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 厂家INFINEON/IR 
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  • ▲▲▲诚信经营，服务至上，十年专注▲▲▲
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  • 深圳市恒佳微电子有限公司

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  • 封装TO-220 
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  • 原装现货，假一赔百，支持实单
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  • 东莞市品安电子有限公司

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  • 数量1000 
  • 厂家IR TRENCH_MOSFETS 
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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 数量11846 
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  • 封装TO-220-3 
  • 批号1818+ 
  • 一级代理商现货批发，原装正品，假一罚十
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量10000000 
  • 厂家Infineon 
  • 封装源自原厂，原厂正品 
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  • 原装原装，高价回收工厂呆滞
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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 数量8160 
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  • 封装RoHS 
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  • 只做进口原装/到货/可含13%税
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 数量3675 
  • 厂家INFINEON 
  • 封装TO-220 
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  • ★体验愉快问购元件?。【驼椅野?单价:18元
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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 数量8500 
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  • 全新原装公司现货销售
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  • 深圳市小童科技有限公司

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  • 数量100 
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  • 30V,260A,1.95mΩ,N-CH Power MOSFET
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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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  • IRLB3813PBF.
  • 数量30000 
  • 厂家IR 
  • 封装TO-220 
  • 批号24+ 
  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
  • QQ:2885640684QQ：2885640684 复制
  • 0755-23615807 QQ:2885640684
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  • 数量2050 
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  • 封装只做原装 
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  • 原装现货假一赔万，原包原标，支持实单
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  • 北京天阳诚业科贸有限公司

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  • 现货常备产品原装可到京北通宇商城查
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  • 深圳市恒意创鑫电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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产品型号IRLB3813PBF的概述

芯片IRLB3813PBF的概述 IRLB3813PBF是一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专门设计用来满足高效能开关电源、马达驱动器和其它各种电力转换应用的要求。这种晶体管的特性使其在电源管理、DC-DC转换器和电动机驱动等领域广泛使用。在现代电子产品中，其重要性不可...

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配单直通车
IRLB3813PBF产品参数
型号:IRLB3813PBF
是否无铅： 不含铅
是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred
IHS 制造商：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3
Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99
风险等级：3.83
Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：333767
Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO-220AB_1
Samacsys Released Date：2017-11-30 15:08:49
Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：520 mJ
外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：260 A
最大漏极电流 (ID)：120 A
最大漏源导通电阻：0.00195 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3
元件数量：1
端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：250
极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1050 A
认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1
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