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  • 深圳市科雨电子有限公司

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产品型号IS42S16160D-75ETLI的概述

IS42S16160D-75ETLI芯片概述 IS42S16160D-75ETLI是一款由华邦电子(Winbond)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。此芯片广泛应用于各类电子设备中,为系统提供高质量的内存解决方案。它基于SDRAM技术,因此能够支持高速数据传输和处理,为各种计算需求和应用提...

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IS42S16160D-75ETLI产品参数
型号:IS42S16160D-75ETLI
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32
针数:54
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.62
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54
JESD-609代码:e3
长度:22.22 mm
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:54
字数:16777216 words
字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:16MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.003 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.18 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10
宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1
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